Vlastnosti
- detekuje nitridované polovodičové wafery
- laserová dioda 780 nm třída I
- LED bar zobrazuje úroveň odraženého světla a prahovou úroveň
- nízký odběr (max. 50 mA)
- elektricky a mechanicky kompatibilní se standardními průmyslovými snímači
- potlačení okolního světla
- zákaznické provedení na vyžádání (mohou být účtovány náklady na vývoj – NRE)
Technická specifikace
| Princip detekce | laserový paprsek s fotodetektory |
| Zdroj světla | laserová dioda 780 nm, třída I (výkon max. 0,050 mW) |
| Detekční vzdálenost | 38 mm (1,5″) nebo dle zákazníka (2″ / 3″ / 4″) |
| Doba odezvy | zpoždění sepnutí max. 38 µs / rozepnutí min. 5 ms (nastavitelné) |
| Velikost laserové stopy | 12.7 mm x 0.15 mm |
| Úhlový rozsah | +17°, −25° (vůči čelní ploše senzoru) |
| Detekovatelné wafery | 3″ až 12″, různé tloušťky a povrchové vrstvy (včetně nitridovaných waferů) |
| Napájení | 12–24 V DC / max. 50 mA |
| Nastavení | otvor pro nastavení prahu |
| Rozhraní (vstup a výstup) | 4žilový kabel |
| Indikace | zelená LED = senzor zapnut; modrá LED = přítomnost objektu; LED bargraf |
| Výstup | NPN s otevřeným kolektorem (interní nebo externí pull-up rezistor), max. 80 mA |
| Materiály | hliníkové pouzdro, skleněné čočky, filtr RG9 |
| Celkové rozměry | 3.5” x 1.5” x 0.65” (88.9 mm x 38.1 mm x 16.5 mm) |
| Hmotnost | 3.2 oz (92 g) |
